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Multiquadric插值是用来buildsmooth地形表面在我们的方法。” 该方法基于三棱柱体积模型,采用了buildstratum元素,因为它可以很容易实现,该模型可以beoperated方便。最后,我们在可视化模型生成真实感较强的图形库。 本文是有组织的asfollows:首先,我们的方法的地质建模中描述的细节。然后了可视化地质建模技术的介绍。最后,有一个conclusionis提供

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1. professional 2. 【医】 technical 3. 【经】 professional
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Professional Vocational adj. .职业的 specialize v 专攻 Specialized subject 专业科目.

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在任何特定时间即时，受到一个力作用在一些地点的车辆，在某些方向。这种所谓的外部或作用力保持速度或会导致车辆加速性能。这支部队是由轮胎，空气动力，重力分力。这些不同的组件是由不同的物理规律，是不便于处理这个单一力量.此外，有单独的轮胎，空气动力学，以及引力元件在不同地点，不同方向的行为相对于汽车底盘
在任何特定瞬时时间，车被服从对行动在一些地点和在某一方向的唯一力量。 这所谓的外部或应用的力量维护速度或导致车的加速度。这力量由轮胎，飞行动力学和引力组分做成。 这些不同的组分由不同的物理定律治理，并且应付这唯一力量是不方便的。此外，那里分开轮胎，飞行动力学和引力组分行动在不同的地点和用不同的方向相对车底盘

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Fig.3.23内部图显示一个I / O销的多少1 . 首先你要注重的是,有两个不同的方向流动的数据形成了单片机的处理器和外部销钉:门闩价值与价值。门闩价值是价值的单片机试图输出,而销价值的密码,是实际的逻辑状态的次数,不管那是噩门闩值由处理器在第一约。读了单片机的针通过针值线、写虽然门闩价值林。如果你想象中的行为的简单的电路中,你会发现Fig.3.23 I / O销钉应该遵循的电压变化,提供5v门闩值,或者通过拉电阻器连接销0 V能够通过直接的晶体管。
Fig.3.23显示了一个I内部图/从POR 1首先你必须注意O引脚是有不同的方向拖数据流形式的微控制器的处理器和外部引脚：价值和闩锁引脚值。锁存器的价值是价值的微控制器试图对引脚输出，而引脚值，是该引脚的实际逻辑状态，无论噩锁存值，是由处理器集第一piace。微控制器读取通过引脚值线引脚的状态，并写入锁存值虽然林。如果你想象的简单电路中Fig.3.23行为，你会发现，在I / O引脚应遵循的锁存值电压的变化，提供5伏通过上拉电阻，或通过连接在V 0引脚直接通过晶体管接地。

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步骤1 分配氧化水平的每个碳原子的反应和产品。 （这只是必要的指派一级氧化炭的经历某些化学变化转变;其他碳可能会被忽略。 ）氧化水平特别是碳分配考虑的是相对电负性的群体约束的碳，内容如下。 （一）对于每一个键一个因素少电负性比碳（包括氢气） ，并为每个负电荷的碳，指派一名-1 。 （ b ）对于每一个键到另一个碳原子，并为每个未配对电子的碳，转让为零。 （三）对于每一个键一个内容更比碳电负性，并为每一个正电荷的碳，指派1 。 （四）购买的数量分配（一）项， （ b ）和（ c ） ，以获取氧化水平的碳原子进行审议。
步骤1分配氧化水平的每个碳原子的反应和产品。 （这只是必要的指派一级氧化炭的经历某些化学变化转变;其他碳可能会被忽略。 ）氧化水平特别是碳分配考虑的是相对电负性的群体约束的碳，内容如下。 （a）对于每一个键一个因素少电负性比碳（包括氢气） ，并为每个负电荷的碳，指派一名-1 。 （b ）对于每一个键到另一个碳原子，并为每个未配对电子的碳，转让为零。 （c）对于每一个键一个内容更比碳电负性，并为每一个正电荷的碳，指派1 。 （d）购买的数量分配（a）项， （ b ）和（ c ） ，以获取氧化水平的碳原子进行审议。
步骤1 分配氧化水平的每个碳原子的反应和产品（它只是要指定一个一级氧化炭的经历某些化学变化转变;其他碳可能会被忽略。）氧化程度的一个特定的碳分配考虑的是相对电负性的群体约束的碳，内容如下。 A 对于每一个键一个因素少电负性比碳（包括氢气） ，并为每个负电荷的碳，指派一名-1 。 (b) 对于每一个键到另一个碳原子，并为每个未配对电子的碳，零转让 (c) 对于每一个键一个内容更比碳电负性，并为每一个正电荷的碳，指派1 。 (d) 购买的数量分配（一）项， （ b ）和（ c ） ，以获取氧化水平的碳原子进行审议

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CMOS运行n沟道和p -通道与先进的工艺制造的晶体管模块，如轻掺杂漏和硅化物。掩模组基本相同采用什么第6英寸的基准进程的S除外（CMOS150）/ D和接触口罩。它使打印0.4微米器件，S / D值口罩进行了修改，以聚植入整个地区。________________________________________________________________________0.0启动晶片（10）：36-63欧姆厘米，p型，“100”，6“________________________________________________________________________1.0初始氧化：目标= 25（+ / - 5％）纳米包括2日下午蚀刻特性的假人。________________________________________________________________________1.1薄层清洁炉管（tystar2）_______________________________________________________________________1.2标准清洁晶圆sink9（马鞍山端）：10 / 1至dewet，旋转干高频下降。________________________________________________________________________1.3干式氧化在950℃（2DRYOX）：30分钟。干氧20分钟。干燥的氮气测量氧化层厚度弓形体=________________________________________________________________________2.0零层摄影标准深紫外线光刻工艺：HMDS为（项目1 svgcoat6），大衣（程序在svgcoat6 2），转速= 1480，UV210 - 0.6），软烘烤（130℃接近），暴露（ASML的，零分面具，30 mJ/cm2），烘（程序1，130 svgdev6丙），开发（程序在svgdev6 1）。硬烘烤：UVBAKE（程序?）________________________________________________________________________2.1零层蚀刻到基板：1）蚀刻氧化物lam2 SIO2MON食谱。检查实际蚀刻率，调整时间。b）在lam4蚀刻硅（目标深度= 1200）食谱= 6000，蚀刻时间30秒。注：其他选项lam4食谱6200，六氟化硫= 25秒，氯气= 30秒（食谱200和6000合并在一起）三）抄写员人数很多，每个晶圆片，包括控制。光刻胶灰基体中。四）测量的深度标记对齐使用asiq。________________________________________________________________________3.0垫氧化/氮化物沉积：目标= 25 + 180纳米二氧化硅纳米氮化硅________________________________________________________________________3.1薄层清洁炉管（tystar2）。储备tystar9。________________________________________________________________________3.2标准的sink9清洁晶圆（MEMS与马鞍山，浸至dewet）到高频25:1。包括北华捷报，PCH的控制晶片。________________________________________________________________________3.3干式氧化在1000℃（2DRYOX）：21分钟。干氧15分钟干燥氮气退火。在测量和NCH PCH的氧化层厚度。________________________________________________________________________3.4存款180纳米氮化硅立即（9SNITA）：约。时间= 55分钟。，温度.= 800长氮化物厚度测量。 （nanospec）。________________________________________________________________________4.0 N阱图片：标准深紫外线光刻工艺。面膜：N阱（暗场）标准烤箱烤（30分钟。，120丙）_______________________________________________________________________________________________________________________________________________5.0氮化物蚀刻：等离子蚀刻在lam4氮化。食谱：200功率：125 W的时间：?85秒。 Overetch：无选择性：氮化硅：公关= 1:1测量弓形体每个工作晶圆。 （2 pnts测量）。不要删除公关。检查。覆盖厚度测量公关活动area.tpr“= 700nm的硬再次烘烤（2小时，120℃）________________________________________________________________________6.0 N阱种植：包括遗产部。分裂：晶圆＃1-5，遗产部：磷，1E13/cm2，150千电伏。晶圆＃6-10：磷，2E13/cm2，150千电伏。________________________________________________________________________7.0氮化物清除：_______________________________________________________________________7.1。矩阵公关中删除。在sink9微食人鱼清洁片_______________________________________________________________________7.2。蚀刻新鲜160荤磷酸氮化sink7（?4小时）________________________________________________________________________7.3。蚀刻在5:1的BHF垫氧化氮在sink7直到dewet。包括北华捷报，遗产部。________________________________________________________________________8.0垫氧化/氮化物沉积：目标= 25 + 180纳米二氧化硅纳米氮化硅________________________________________________________________________8.1薄层清洁炉管（tystar2）。储备tystar9。_______________________________________________________________________8.2标准清洁晶圆sink9（微机电系统，马鞍山，25:1高频浸直到dewet）。包括北华捷报，遗产部。________________________________________________________________________8.3干式氧化在1000℃（2DRYOXA）：21分钟。干氧15分钟干燥氮气退火。关于北华捷报测量和PCH氧化层厚度。________________________________________________________________________8.4存款180纳米氮化硅立即（9SNITA）：约。时间= 55分钟。，温度= 800长________________________________________________________________________9.0个P -井照片：标准深紫外线光刻工艺。面膜：PWELL（逆在阱的最小间距）烤箱烤（30分钟。，120丙）________________________________________________________________________10.0氮化物蚀刻：等离子蚀刻在lam4氮化。食谱：200功率：125 W的时间：?85秒。 Overetch：无选择性：氮化硅：公关= 1:1测量弓形体每个工作晶圆。 （2 pnts测量）。不要删除公关。检查。覆盖厚度测量公关活动area.tpr“= 700nm的硬再次烘烤（2小时，120℃）________________________________________________________________________11.0个P -井植：硼，5E12，60KeV包括北华捷报。________________________________________________________________________12.0氮化物清除：_______________________________________________________________________12.1。矩阵公关中删除。在sink9微食人鱼清洁片_______________________________________________________________________12.2。蚀刻新鲜160荤磷酸氮化sink7（?4小时）________________________________________________________________________12.3。蚀刻在5:1的BHF垫氧化氮在sink7直到dewet。包括北华捷报，遗产部。________________________________________________________________________13.0井道时间：________________________________________________________________________13.1薄层清洁炉管（tystar2）。_______________________________________________________________________13.2标准清洁晶圆sink9（微机电系统和MOS）。包括北华捷报，PCH的控制晶片。________________________________________________________________________13.3井推动在1100℃（2WELLDR）：60分钟。温度斜路750℃至1100荤150分钟。干氧15分钟。氮气衡量两个硅片氧化层厚度。________________________________________________________________________13.4地带氧化氮在5:1的BHF直到dewet。关于遗产部，测量卢比北华捷报________________________________________________________________________14.0垫氧化/氮化物沉积：目标= 25 + 180纳米二氧化硅纳米氮化硅________________________________________________________________________14.1薄层清洁炉管（tystar2）。储备tystar9。_______________________________________________________________________14.2标准清洁晶圆sink9（微机电系统，马鞍山，25:1浸直到dewet。）包括北华捷报，遗产部+ 2假人。________________________________________________________________________14.3氧化干在1000℃（2DRYOXA）：21分钟。干氧15分钟干燥氮气退火。关于北华捷报测量氧化层厚度。________________________________________________________________________14.4存款180纳米氮化硅立即（9SNITA）：约。时间= 55分钟。，温度= 800长只有包括遗产部。测量氮化PCH的厚度。________________________________________________________________________有效面积15.0图片：性病。深紫外线光刻过程。面具兼容电视，烤箱烤120C，2小时。________________________________________________________________________16.0氮化物蚀刻：等离子蚀刻在lam4氮化。食谱：200功率：125 W的时间：?90秒。 Overetch：无测量弓形体（2分测量）在每个工作晶圆。________________________________________________________________________17.0个P -井场种植照片性病。深紫外的过程。面具PFIELD（逆阱的最小间距+法）烤箱烤120℃，2小时。________________________________________________________________________18.0个P -井场离子注入硼，2E13，80KeV________________________________________________________________________19.0 Locos氧化：目标= 550纳米________________________________________________________________________19.1薄层清洁炉管（tystar2）。________________________________________________________________________19.2删除公关氧离子（矩阵）。在sink8微机电系统及sink6马鞍山食人鱼标准清洁片，25:1 5-10秒高频下跌。）包括北华捷报，遗产部。________________________________________________________________________19.3湿式氧化法在1000℃（2WETOXA）：2小时。湿氧20分钟。氮气退火测量弓形体在3个工作片和NCH，遗产部。_______________________________________________________________________
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